RJU003N03T106 دیتاشیت

RJU003N03T106

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RJU003N03T106
حجم فایل 66.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت RJU003N03T106-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RJU003N03T106
  • Power Dissipation (Pd): 200mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 24pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 300mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω@4.5V,300mA
  • Package: SOT-323(SC-70)
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه